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2.
文章针对有色金属加工生产机组中卷取机前夹送辊驱动方式的不同,对夹送辊的结构和驱动力矩做对比分析,同时进行理论设计计算,供设计参考使用。 相似文献
3.
文章介绍了基于亚龙YL-236实验台的32×16点阵显示屏的硬件电路设计、电路驱动、软件设计,实现滚动显示16×16的汉字、8×16的数字、字母。具有结构简单,可控性好,方便实现的优点,具有一定的实际价值。 相似文献
4.
Within the framework of the effective-mass approximation and the dipole approximation, considering the three-dimensional confinement of the electron and hole and the strong built-in electric field(BEF) in strained wurtzite Zn O/Mg0:25Zn0:75O quantum dots(QDs), the optical properties of ionized donor-bound excitons(D+, X)are investigated theoretically using a variational method. The computations are performed in the case of finite band offset. Numerical results indicate that the optical properties of(D+, X) complexes sensitively depend on the donor position, the QD size and the BEF. The binding energy of(D+, X) complexes is larger when the donor is located in the vicinity of the left interface of the QDs, and it decreases with increasing QD size. The oscillator strength reduces with an increase in the dot height and increases with an increase in the dot radius. Furthermore, when the QD size decreases, the absorption peak intensity shows a marked increment, and the absorption coefficient peak has a blueshift. The strong BEF causes a redshift of the absorption coefficient peak and causes the absorption peak intensity to decrease remarkably. The physical reasons for these relationships have been analyzed in depth. 相似文献
5.
针对基站柜式空调耗电量大的问题,创造性地使用基站分布式冷却的方式,达到精确送风,节能高效的目的.在应用实践中检验了分布式冷却系统实际节能量和应用效果,总结出分布式冷却系统应用场景和范围,为更大范围推广应用DCS分布式冷却系统提供实践依据. 相似文献
6.
7.
We investigate the effect of dopant random fluctuation on threshold voltage and drain current variation in a two-gate nanoscale transistor. We used a quantum-corrected technology computer aided design simulation to run the simulation (10000 randomizations). With this simulation, we could study the effects of varying the dimensions (length and width), and thicknesses of oxide and dopant factors of a transistor on the threshold voltage and drain current in subthreshold region (off) and overthreshold (on). It was found that in the subthreshold region the variability of the drain current and threshold voltage is relatively fixed while in the overthreshold region the variability of the threshold voltage and drain current decreases remarkably, despite the slight reduction of gate voltage diffusion (compared with that of the subthreshold). These results have been interpreted by using previously reported models for threshold current variability, load displacement, and simple analytical calculations. Scaling analysis shows that the variability of the characteristics of this semiconductor increases as the effects of the short channel increases. Therefore, with a slight increase of length and a reduction of width, oxide thickness, and dopant factor, we could correct the effect of the short channel. 相似文献
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9.
The fracture behaviour and morphologies of high-strength boron steel were investigated at different temperatures at a constant strain rate of 0.1 s-1 based on isothermal tensile tests. Fracture mechanisms were also analyzed based on the relationship between microstructure transformation and continuous cooling transformation(CCT) curves. It is found that 1) fractures of the investigated steel at high temperatures are dimple fractures; 2) the deformation of high-strength boron steel at high temperatures accelerates diffusion transformations; thus, to obtain full martensite, a higher cooling rate is needed; and 3) the investigated steel has the best plasticity when the deformation temperature is 750 °C. 相似文献
10.
设备前期翻料钩摆臂角度设计错误,导致该处液压缸事故频繁,经改造后,将过渡篦条和中间过渡装置拆除。整体标高再次进行定位,实现穿孔出来的毛管直接过渡到轧机入口,无需中间翻料钩装置,以保证设备的正常运转和生产连续性。 相似文献